[发明专利]一种基于3C-SiC薄膜的电极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910703335.2 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110534348A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 涂溶;章嵩;张联盟 | 申请（专利权）人： | 气相科技(武汉)有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86;H01G11/50 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 崔友明;官群<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区理*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于3C‑SiC薄膜的电极材料及其制备方法，该电极材料由单晶Si基板及生长在基板上的具有多孔结构的3C‑SiC薄膜组成。其制备方法步骤如下：1)将单晶Si基板放入沉积室，抽真空，使沉积室内压强降至10Pa以下；2)从沉积室侧上方向沉积室内通入H2，打开激光照射单晶Si基板表面，利用H2在高温条件下刻蚀单晶Si基板，使基板表面形成凹凸结构，刻蚀结束后，从沉积室侧上方向沉积室内通入含有HMDS的载流气，调节沉积室内沉积压强，沉积生长3C‑SiC多孔薄膜。该电极材料具有高比电容，可显著提高超级电容器电容量，并且3C‑SiC薄膜与Si基板连接较为牢固，适用于超级电容器领域。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 单晶 电极材料 沉积室 超级电容器 室内 刻蚀 制备方法步骤 压强 凹凸结构 多孔薄膜 多孔结构 高温条件 基板表面 激光照射 室内压强 生长 比电容 抽真空 电容量 放入 基板 制备 | ||
【主权项】：
1.一种基于3C-SiC薄膜的电极材料，其特征在于，由单晶Si基板及生长在基板上的具有多孔结构的3C-SiC薄膜组成。/n
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