[发明专利]基于Fe在审

申请号：	201911069473.6	申请日：	2019-11-05
公开（公告）号：	CN110767814A	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	王宁;刘涛;袁益辉;刘胤江;陈梦伟	申请（专利权）人：	海南大学
主分类号：	H01L51/48	分类号：	H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42;B82Y30/00
代理公司：	11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	赵蕊红
地址：	570228 海***	国省代码：	海南;46
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摘要：	本发明公开了一种基于Fe
搜索关键词：	黑磷钙钛矿量子点掺杂吸光层修饰层空穴传输层量子点溶液太阳能电池空穴湿气能量转换效率电子传输层抗氧化能力低温退火电荷复合机械剥离界面处金电极缺陷态阳离子超声钝化配对配位修饰旋涂制备抽取浸泡电池引入
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【主权项】：

1.一种基于Fe

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摘要：本发明公开了一种低温淬冷制备钙钛矿薄膜的方法及其应用，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤：(1)将钙钛矿前驱体溶液涂布在基底上；(2)将涂布好的液膜浸泡在淬冷剂中进行淬冷；(3)将淬冷过的薄膜取出，用气体进行吹干；(4)将吹干后的薄膜在一定温度下进行退火。本发明利用低温淬冷法制备得到的钙钛矿薄膜，采用绿色环保的淬冷剂作为溶剂萃取剂，没有使用有毒的反溶剂，没有添加任何表面活性剂，所制备的薄膜致密且无孔洞，具有很高的吸光系数和载流子迁移率，并且使用该薄膜制作的钙钛矿太阳能电池仍具有很高的光电转换效率和稳定性。

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摘要：一种喷涂制备钙钛矿纳米晶薄膜的方法，将钙钛矿纳米晶分散到有机溶剂中，获得钙钛矿纳米晶分散液；将钙钛矿纳米晶分散液装入喷瓶中，安装到喷枪上，调节喷枪与基底的距离、喷枪的出液量和气压；然后将基底加热后进行喷涂，退火后，得到钙钛矿纳米晶薄膜。本发明得到的钙钛矿纳米晶薄膜致密性高、表面平整，可应用于制备太阳能电池、光电探测器和发光二极管等光电器件，同时该方法具有材料利用率高、成膜速度快、可大面积制备的优点。

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摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括钙钛矿前驱体溶液的涂布步骤：将钙钛矿前驱体溶液通过出液器涂布在多孔碳对电极的外边缘±2mm以内，所述出液器的出液速度为5～30μl/s。该方法可以改善钙钛矿前驱体溶液在多孔材料中的填充均匀性，提高太阳能电池的光电转化效率。

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摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种碳量子点修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法。该制备方法包括：利用脉冲激光辐照反溶剂原位制备出碳量子点溶液；然后将钙钛矿前驱体溶液旋涂到覆盖有电子传输层的透明导电基体上，旋涂过程中将碳量子点溶液滴到钙钛矿薄膜上，热处理后形成碳量子点修饰的钙钛矿薄膜；最后制备空穴传输层和金属电极，完成钙钛矿太阳能电池的制备。该方法制备的碳量子点尺寸可控、分散性及稳定性优异，可直接引入钙钛矿薄膜中，有助于简化钙钛矿制备工艺。本发明制备的碳量子点修饰钙钛矿太阳能电池光电转换效率高、稳定性好，效率最高可达21％以上，具有极高的实际应用价值。

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摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述钙钛矿薄膜的制备方法包括制备第一钙钛矿薄膜层的第一步骤和在第一钙钛矿薄膜层上制备第二钙钛矿薄膜层的第二步骤，其中，所述的第二步骤包括：至少采用溶液法使钙钛矿前驱体溶液在所述第一钙钛矿薄膜层上形成第二钙钛矿薄膜层。本发明还提供了所述的钙钛矿薄膜于制备光电装置中的用途。本发明利用两次沉积钙钛矿薄膜的制备方法可以获得表面更平整的钙钛矿薄膜，同时还可以通过调整前后两次形成钙钛矿薄膜的原料组成获得具有不同组份组合的新型钙钛矿薄膜，基于本发明提供的钙钛矿薄膜形成的光电器件具有更优异的器件性能。

一种在空气环境中制备铯掺杂混合钙钛矿太阳能电池的方法-201910610653.4
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申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L51/48
摘要：本发明涉及在空气环境中制备铯掺杂混合钙钛矿太阳能电池的方法，步骤如下：在透明导电玻璃上制备TiO₂致密层，将其浸泡在TiCl₄水溶液中，然后取出后用去离子水和乙醇冲洗；在所得样品上旋涂一层TiO₂纳米晶浆料，得到TiO₂介孔层；在相对干燥的空气环境中制备铯掺杂混合钙钛矿溶液，在TiO₂介孔层上旋涂铯掺杂混合钙钛矿溶液，旋涂结束后将样品放置于热板上加热，冷却至室温后得到铯掺杂混合钙钛矿吸光层，在其表面旋涂一层空穴传输层，空穴传输层上蒸镀一层金、银或者铝电极，最后制得铯掺杂混合钙钛矿太阳能电池。本发明的有益效果是：本发明提供了一种钙钛矿吸光层的组成配方，可以通过调节各个组分的相对含量，对钙钛矿吸光层的组成、结构和性能进行调节。

一种碳量子点修饰钙钛矿层的钙钛矿太阳能电池制备方法-201910703144.6
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申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L51/48
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种使用碳量子点修饰钙钛矿层钙钛矿太阳能电池的制备方法。包括以下步骤：1)以ITO玻璃作为窗口层进行部分刻蚀；2)制备空穴传输层；3)在空穴传输层上制备钙钛矿吸光层；4)在钙钛矿层上制备碳量子点修饰层；5)在碳量子点修饰层上制备电子传输层；6)在电子传输层上制备电极。本发明通过将碳量子点分散在异丙醇溶液中，采用旋涂法直接将此量子点溶液旋涂于钙钛矿吸光层上，可以有效降低电子传输过程中载流子复合状况，增加载流子的传输效率，从而提升钙钛矿电池的效率。本发明中碳量子点的制备方法简单，材料易得，且效果明显，适合高性能、低成本的钙钛矿太阳能电池的制备。

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申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L51/48
摘要：本发明公开了一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池，碳基钙钛矿太阳能电池包括基底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿层和碳电极，或者包括基底、透明导电电极、空穴阻挡层、多孔电子传输层、多孔绝缘间隔层和多孔碳电极，其中均填充有钙钛矿材料，包括以下步骤：取界面后处理材料进行界面后处理，界面后处理材料包括有机酸盐、有机胺、极性溶剂中的任一种，有机酸盐中阴离子包括脂肪酸或芳香酸形成的阴离子，有机胺为R‑NH₂或NH₂‑R‑NH₂，R＝C_nH_2n+1，n＝1～18；极性溶剂为1～6个碳原子的脂肪醇或者1～6个碳原子的脂肪腈。利用本发明的界面后处理方法能够提高太阳能电池的性能。

一种用于光伏器件制备的钝化温控装置-201920812344.0
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申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L51/48
摘要：本实用新型的目的在于提供一种用于光伏器件制备的钝化温控装置，以在光伏器件生长钝化层的时候能够在保护沟槽的同时不损害富勒烯与聚合物共混组件。为实现上述目的采用了如下技术方案：一种用于光伏器件制备的钝化温控装置，包括：冷却台，其具有一平整的用于放置样片的上表面，并配置有用于冷却所述上表面的冷却模组；以及冷却模板，其呈中空板状，具有用于覆盖所述样片活性区域的下表面，并设有若干均匀排布的镂空狭槽，所述冷却模板内部用于流通冷却介质；其中，所述样片为富勒烯与聚合物共混组件样片，所述镂空狭槽的位置对应于样片上各个切割沟槽的位置，且宽度略宽于切割沟槽的宽度。

一种提高钙钛矿薄膜晶粒尺寸的制备方法-201910771656.6
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摘要：本发明公开了一种提高钙钛矿薄膜晶粒尺寸的制备方法，将后处理溶液在5000～9000rpm的转速下旋涂于钙钛矿吸光层上，并进行80‑120℃、0～30min的热退火，形成薄膜后处理层，所述后处理溶液为N，N‑二甲基甲酰胺的氯苯混合溶液。有效改善钙钛矿晶粒尺寸、减少晶界、减少非辐射复合从而提高电荷传输能力，有效提高了采用该方法制备的器件的填充因子及光电转换效率，最大效率可达18.0％，填充因子可达到0.80。

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发明人： G·博沃;N·雅各比-格罗斯 -专利权人：住友化学株式会社
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摘要：一种配制物，其包含n型有机半导体、p型有机半导体和溶剂混合物，所述溶剂混合物包含第一溶剂和第二溶剂，其中所述第一溶剂是烷基化芳族烃，例如三甲基苯，以及所述第二溶剂是取代有两个或更多个取代基的苯，所述取代基包括至少两个C_1‑6烷氧基，例如二甲氧基苯。该配制物可用于形成光敏有机电子器件例如有机光检测器的光活性层(3)，所述光敏有机电子器件包括阳极(2)、阴极(4)以及在阳极与阴极之间的光活性层。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择

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