[发明专利]用于哈希解决方案的半导体存储器件及其驱动方法在审

专利信息
申请号: 201911233688.7 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN111488119A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 金哲珉;李芝庸;朴钟闵;徐德浩;李光熙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王凯霞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种用于哈希解决方案的半导体存储器件及其驱动方法。所述半导体存储器件包括:哈希逻辑块,所述哈希逻辑块包括多个被配置为执行哈希函数的哈希逻辑;存储单元块,所述存储单元块包括多个存储单元;以及输入/输出(I/O)控制结构,所述I/O控制结构被配置为基于要执行的所述哈希函数的特性更改所述哈希逻辑块与所述存储单元块之间的数据接口。
搜索关键词: 用于 解决方案 半导体 存储 器件 及其 驱动 方法
【主权项】:
暂无信息
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