[发明专利]极化方向可调的纵向渐变波荡器及采用其的太赫兹光源在审
申请号: | 201911263822.8 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111081409A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 何志刚;张浩然 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G21K1/16 | 分类号: | G21K1/16;H01S3/09 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种纵向渐变波荡器,包含位于电子通行通道上下两侧的各N列永磁块阵列,每一列永磁块阵列包括一定数量的按规则磁场方向排列的永磁块形成若干个磁场周期,每个磁场周期的间隙按照一定规律变化,从而能够实现所述纵向渐变波荡器的极化方向可调。本发明实现了基于纵向渐变波荡器产生的超短脉冲太赫兹自由电子激光源的极化方向操控;本发明的纵向渐变波荡器的极化方向可连续调节。 | ||
搜索关键词: | 极化 方向 可调 纵向 渐变 波荡 采用 赫兹 光源 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911263822.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法-202310290702.7
- 唐健;张俊佩;童欣;邓昌东;王天昊;李君;齐欣;郑玉杰;黄楚怡 - 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
- 2023-03-22 - 2023-07-21 - G21K1/16
- 一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法,涉及极化氦三技术领域。系统包括四套亥姆霍兹线圈;第一套亥姆霍兹线圈套设于第二套亥姆霍兹线圈;第一套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面相交,其相交线通过第一套亥姆霍兹线圈和第二套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心;第二套亥姆霍兹线圈套设于第三套亥姆霍兹线圈;第三套亥姆霍兹线圈套设于第四套亥姆霍兹线圈;第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第四套亥姆霍兹线圈所处平面相交,其相交线通过第三套亥姆霍兹线圈和第四套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心;第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第一套亥姆霍兹线圈所处平面垂直;第四套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面垂直。
- 一种中子极化翻转装置及翻转器-202211528470.6
- 叶凡;王天昊;张俊佩;赛德·穆赫德·阿米尔;孟鑫沛;郑玉杰;白波;黄楚怡;秦泽聪;童欣 - 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
- 2022-11-30 - 2023-03-21 - G21K1/16
- 一种中子极化翻转装置,包括:导向磁体用于在预设区域内产生导向磁场;翻转组件包括翻转支架、第一线圈和第二线圈,第一线圈和第二线圈通过缠绕在翻转支架上以设于预设区域内,驱动装置用于接收到加速器的打靶控制信号后输出电流至所述第一线圈,以产生与导向磁场相反的补偿磁场,并使得导向磁场与补偿磁场在相交的区域内形成去磁场区域,还用于输出电流至所述第二线圈,以使得在去磁场区域产生与导向磁场、补偿磁场正交的进动磁场。基于中子的拉莫尔进动实现中子的极化翻转,使得中子极化翻转器结构简单,实现方便,翻转速度快,且可以接收加速器的打靶控制信号后,并随着打靶控制信号进行中子翻转。本发明还提供了一种中子极化翻转器。
- 一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件-202221843317.8
- 张众;何佳莲;伊圣振;王占山;黄秋实 - 同济大学
- 2022-07-18 - 2023-01-17 - G21K1/16
- 本实用新型提供一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件,包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层,多层铁硅合金薄膜层与多层铬薄膜层依次交替沉积于超光滑硅片基底表面,多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层,本实用新型主要以铁硅合金薄膜层为主,采用铬薄膜层作为插层的方法提升薄膜的饱和磁感应强度,使薄膜的饱和磁感应强度超过了1T,铬薄膜层可以有效调控铁硅合金薄膜层的微观结构,促进合理晶面的生长,抑制不需要晶面的生长。
- 一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法-202210840993.8
- 张众;何佳莲;伊圣振;王占山;黄秋实 - 同济大学
- 2022-07-18 - 2022-09-30 - G21K1/16
- 本发明提供一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法,一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层,多层铁硅合金薄膜层与多层铬薄膜层依次交替沉积于超光滑硅片基底表面,多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层;多层中子薄膜自旋翻转元件的制备方法中,铁硅合金薄膜层及铬薄膜层的制备工艺都为磁控溅射,本发明主要以铁硅合金薄膜层为主,采用铬薄膜层作为插层的方法提升薄膜的饱和磁感应强度,使薄膜的饱和磁感应强度超过了1T,铬薄膜层可以有效调控铁硅合金薄膜层的微观结构,促进合理晶面的生长,抑制不需要晶面的生长。
- 一种氦三中子极化装置-202021236242.8
- 童欣;王天昊;张俊佩;叶凡;黄楚怡 - 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
- 2020-06-29 - 2021-04-06 - G21K1/16
- 本实用新型涉及中子极化技术领域,具体涉及一种氦三中子极化装置,本申请的氦三中子极化装置包括极化组件、加热组件、磁场组件和激光组件。其中,极化组件内部形成有一个密封的极化腔,用于盛装氦三气体,加热组件用于对极化组件进行加热,为氦三气体极化提供所需的高温度环境,磁场组件设置在极化组件的外围,用于为极化过程提供一个稳定的极化磁场,激光组件用于向极化腔内通入圆偏振光,为所述氦三原子的极化提供光子,使得碱金属原子吸收光子跃迁的过程持续进行,并与氦三原子连续碰撞,完成极化转移,最终实现氦三原子的极化,进而进行中子的极化。
- 一种管道式磁向整极装置-201922206959.1
- 茆学华;徐建坤;廖宗元 - 杭州三得农业科技有限公司
- 2019-12-11 - 2020-11-13 - G21K1/16
- 本实用新型属于整极设备技术领域,具体涉及一种管道式磁向整极装置,包括微化机、磁场发生器和溶液柜,磁场发生器内安装有溶液管路,微化机通过第一管道与溶液管路的入口连通,溶液管路的出口与溶液柜之间通过第二管道连通;溶液柜通过高落差支架安装,以使溶液柜的出液口与溶液罐装流水线具有高度差。本实用新型的管道式磁向整极装置,从溶液的分子微化、分子的磁向整极至溶液的输出实现管道化设计,便于实现产业化。
- 一种紧凑型超导中子极化翻转器-201922467145.3
- 白波;王天昊;邓昌东;张俊佩;叶凡;黄楚怡;童欣 - 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
- 2019-12-31 - 2020-10-23 - G21K1/16
- 本实用新型涉及中子极化技术领域,具体涉及一种紧凑型超导中子极化翻转器,其包括真空恒温器、超导抗磁体组件和导向磁场组件。超导抗磁体组件设置在真空恒温器内,真空恒温器用于为超导抗磁体组件提供真空低温的环境,使得超导抗磁体组件在真空恒温器内形成一层迈斯纳抗磁层,超导抗磁体组件与导向磁场组件组合,通过超导抗磁效应将超导体前后导引磁场分割;导向磁场组件设置在真空恒温器的外围,用于在迈斯纳抗磁层的两侧形成两个磁场方向相反的导向磁场,导向磁场用于对穿过该导向磁场的中子极化进行导向,并使得穿过迈斯纳抗磁层后的中子的极化发生翻转。采用本实施例的中子极化翻转器对中子的极化进行翻转时操作简单、性能稳定且翻转效率高。
- 一种氦三中子极化装置-202010609719.0
- 童欣;王天昊;张俊佩;叶凡;黄楚怡 - 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
- 2020-06-29 - 2020-10-20 - G21K1/16
- 本发明涉及中子极化技术领域,具体涉及一种氦三中子极化装置,本申请的氦三中子极化装置包括极化组件、加热组件、磁场组件和激光组件。其中,极化组件内部形成有一个密封的极化腔,用于盛装氦三气体,加热组件用于对极化组件进行加热,为氦三气体极化提供所需的高温度环境,磁场组件设置在极化组件的外围,用于为极化过程提供一个稳定的极化磁场,激光组件用于向极化腔内通入圆偏振光,为所述氦三原子的极化提供光子,使得碱金属原子吸收光子跃迁的过程持续进行,并与氦三原子连续碰撞,完成极化转移,最终实现氦三原子的极化,进而进行中子的极化。
- 极化方向可调的纵向渐变波荡器及采用其的太赫兹光源-201911263822.8
- 何志刚;张浩然 - 中国科学技术大学
- 2019-12-10 - 2020-04-28 - G21K1/16
- 一种纵向渐变波荡器,包含位于电子通行通道上下两侧的各N列永磁块阵列,每一列永磁块阵列包括一定数量的按规则磁场方向排列的永磁块形成若干个磁场周期,每个磁场周期的间隙按照一定规律变化,从而能够实现所述纵向渐变波荡器的极化方向可调。本发明实现了基于纵向渐变波荡器产生的超短脉冲太赫兹自由电子激光源的极化方向操控;本发明的纵向渐变波荡器的极化方向可连续调节。
- 一种紧凑型超导中子极化翻转器-201911404992.3
- 白波;王天昊;邓昌东;张俊佩;叶凡;黄楚怡;童欣 - 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
- 2019-12-31 - 2020-04-10 - G21K1/16
- 本发明涉及中子极化技术领域,具体涉及一种紧凑型超导中子极化翻转器,其包括真空恒温器、超导抗磁体组件和导向磁场组件。超导抗磁体组件设置在真空恒温器内,真空恒温器用于为超导抗磁体组件提供真空低温的环境,使得超导抗磁体组件在真空恒温器内形成一层迈斯纳抗磁层,超导抗磁体组件与导向磁场组件组合,通过超导抗磁效应将超导体前后导引磁场分割;导向磁场组件设置在真空恒温器的外围,用于在迈斯纳抗磁层的两侧形成两个磁场方向相反的导向磁场,导向磁场用于对穿过该导向磁场的中子极化进行导向,并使得穿过迈斯纳抗磁层后的中子的极化发生翻转。采用本实施例的中子极化翻转器对中子的极化进行翻转时操作简单、性能稳定且翻转效率高。
- 一种有效调控强耦合劈裂能的方法-201810152333.4
- 廖清;任佳欢;付红兵 - 首都师范大学
- 2018-02-14 - 2019-08-23 - G21K1/16
- 本发明公开了一种有效调控强耦合劈裂能的方法。包括如下步骤:将PS溶于甲苯溶剂中,其次将不同质量的有机分子溶于PS甲苯溶液中,加热使其全部溶解,形成不同掺杂比例的混合溶液;再将配制好的混合溶液旋涂于80nm银膜上,通过控制甩膜仪转速恒定,从而得到不同掺杂比例、相同厚度的薄膜,再在有机薄膜上蒸镀上50nm银膜从而构成平板微腔,将制备好的微腔结构置于显微角分辨装置上通过测试反射率来拟合计算在不同掺杂溶度,相同厚度条件时的劈裂能。在该方法中,所用设备简单,快速方便,操作便捷,成本低,可重复性高,并且通过PS掺杂的薄膜粗糙度小,整个微腔的品质因子高,对实现全金属微腔中强耦合作用下大的劈裂能具有较高的应用价值。
- 一种通过式有机小分子整极装置-201810351644.3
- 茆学华;徐建坤 - 杭州三得农业科技有限公司
- 2018-04-19 - 2018-10-19 - G21K1/16
- 本发明公开了一种通过式有机小分子整极装置,包括一磁场发生装置、一磁场主机,磁场发生装置包括一安装有隔离变压器的磁场发生电源柜;所述磁场主机的中间设有横向空腔,横向空腔的左侧和右侧分别设有进料口和出料口,横向空腔的上下端分别设有上励磁线圈和下励磁线圈,且位于下励磁线圈的上端以及横向空腔底面的位置设有可使物料从进料口进去、从出料口出来的动力输送系统;本发明采用磁场发生装置、磁场主机以及使物料通过的动力输送系统相结合,利用一定范围内的电控磁场将有机小分子呈弥散分布的电荷集中于两极,使有机小分子的极特性明显,以增强有机小分子的物理健活性与振动电动力。
- 用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件-201020265774.4
- 赵佳 - 北京工商大学
- 2010-07-15 - 2011-08-10 - G21K1/16
- 本实用新型公开了一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件,该偏振元件为人工晶体制成的反射式偏振晶片,该反射式偏振晶片具有被抛光处理的反射镜面。其通过人工晶体制成的反射式偏振元件可以获取高线偏振度的软X射线。
- 一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件和方法-201010232543.8
- 赵佳 - 北京工商大学
- 2010-07-15 - 2011-01-05 - G21K1/16
- 本发明公开了一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件及方法,其偏振元件为人工晶体制成的反射式偏振晶片,该反射式偏振晶片具有被抛光处理的反射镜面。一种提高软X射线线偏振度的方法,其是通过人工晶体晶片来获取高线偏振度的软X射线,软X射线选取在50-180eV能区范围。其可以省去现有技术中的设计和复杂工艺制备过程的麻烦;利用新的反射式偏振元件来实现获取高线偏振度的软X射线。
- 专利分类