[实用新型]低压降二极管P-N结结构有效
| 申请号： | 201920323841.4 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN209389040U | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 王成森;潘建英;欧阳潇 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低压降二极管P‑N结结构，涉及二极管技术领域。所述P‑N结结构包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层与N‑原始单晶层形成二极管阴极层，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，其中所述P型阳极层的下表面设置有向所述N‑原始单晶层内部延伸的凸起，所述凸起与其上侧部分的P型阳极层形成深P阱阳极区，所述深P阱阳极区的两侧为P型浅结阳极区。所述P‑N结结构中P型阳极区内设置有局部内凹结构，在同等芯片面积的情况下P‑N结结面积增加了30％以上，大幅降低了二极管的压降值。 | ||
| 搜索关键词： | 原始单晶 阳极层 阳极区 低压降二极管 衬底层 下表面 深P阱 凸起 本实用新型 二极管技术 二极管阴极 二极管 阳极 面积增加 内凹结构 内部延伸 上表面 浅结 压降 有向 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种低压降二极管P‑N结结构，其特征在于：包括N‑原始单晶层（1），所述N‑原始单晶层（1）的下表面形成有N+衬底层（2），所述N+衬底层（2）与N‑原始单晶层（1）形成二极管阴极层，所述N‑原始单晶层（1）的上表面形成有P型阳极层（3），其中所述P型阳极层的下表面设置有向所述N‑原始单晶层内部延伸的凸起（4），所述凸起与其上侧部分的P型阳极层形成深P阱阳极区，所述深P阱阳极区的两侧为P型浅结阳极区。
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