[实用新型]一种双向对称TVS二极管有效
| 申请号： | 201920420317.9 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209487517U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 周伟伟;欧阳炜霞 | 申请（专利权）人： | 焕珏（上海）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双向对称TVS二极管，包括：P型衬底；N型外延层，形成于所述P型衬底上；P+掺杂区，形成于所述N型外延层表面；P+隔离区，穿过所述N型外延层，所述P+隔离区的底部与所述P型衬底连接；氧化层，形成于所述N型外延层之上，所述P+隔离区的表面通过所述氧化层与所述P+掺杂区连接；金属孔，形成于所述P+隔离区及所述P+掺杂区之上、所述氧化层之间；钝化层，形成于所述金属层之上；以及背面金属层，形成于所述P型衬底的背面。本实用新型结构设计合理，集成度高，尺寸小，大大节约芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离区 衬底 掺杂区 氧化层 本实用新型 双向对称 背面金属层 钝化层 集成度 金属层 金属孔 背面 芯片 穿过 节约 | ||
【主权项】：
1.一种双向对称TVS二极管，其特征在于，包括：P型衬底；N型外延层，形成于所述P型衬底上；P+掺杂区，形成于所述N型外延层表面；P+隔离区，穿过所述N型外延层，所述P+隔离区的底部与所述P型衬底连接；氧化层，形成于所述N型外延层之上，所述P+隔离区的表面通过所述氧化层与所述P+掺杂区连接；金属层，形成于所述P+隔离区及所述P+掺杂区之上、所述氧化层之间；钝化层，形成于所述金属层之上；以及背面金属层，形成于所述P型衬底的背面。
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