[实用新型]一种晶体生长坩埚有效

专利信息
申请号: 201920673853.X 申请日: 2019-05-13
公开(公告)号: CN210262079U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 夏钰坤;夏宗仁 申请(专利权)人: 江西匀晶光电技术有限公司
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/12
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 谢德珍
地址: 332000 江西省九江市经济技*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种晶体生长坩埚,包括外层坩埚,所述外层坩埚内同心设置有一个或多个内层坩埚,所述外层坩埚包括坩埚壁和坩埚底,所述内层坩埚为圆筒形或波浪圆筒形结构,所述内层坩埚的外侧均匀设有多个定位卡,内层坩埚焊接于坩埚底上端。该坩埚的优点是外层坩埚可以为薄壁坩埚,节约资金占用,且外层坩埚变形小,使用寿命长。
搜索关键词: 一种 晶体生长 坩埚
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  • 田甜;张杰;刘伟;陈宇恒;徐家跃 - 上海应用技术大学
  • 2022-08-30 - 2022-11-01 - C30B29/30
  • 本发明公开了一种具有高饱和衍射效率的铌酸锂晶体,将原料混合充分研磨后,将籽晶固定在坩埚底部种井部位,然后将所有混合原料装入铂金坩埚并封好,置于晶体生长炉生长晶体并控制炉内温度1300‑1400℃,利用坩埚下降法法生长晶体,生长速度为0.2‑0.4mm/h,Mg离子和U离子的掺入大幅度提高了LiNbO3晶体的饱和衍射效率和光折变响应时间。还公开了该铌酸锂晶体的制备方法。本发明实现了高饱和衍射效率、快响应铌酸锂单晶的生长,并且工艺设备简单,可同时生长多根晶体,可极大提高铌酸锂晶体的生产效率,推动其在全息领域的应用。
  • 复合式晶体生长装置-202221607752.0
  • 赖维明;喻彬;陈丽英 - 成都东骏激光股份有限公司
  • 2022-06-21 - 2022-10-21 - C30B29/30
  • 本申请提供一种复合式晶体生长装置,涉及半导体领域,包括铂金坩埚、耐高温包覆层、烧结砖层、烧结板和石英坩埚,铂金坩埚嵌设于石英坩埚内且二者同轴设置;烧结板设于铂金坩埚的底部与石英坩埚的底部之间;耐高温包覆层贴合于铂金坩埚外,烧结砖层贴合于耐高温包覆层外,烧结砖层与石英坩埚之间设有保温填充层。能够提高铂金坩埚的抗形变能力,铂金坩埚运行过程中不易产生形变,降低漏锅风险。
  • 一种近室温巨磁介电效应的Mn2-202110930085.3
  • 姚淑华;陈利达;吕洋洋;陈延彬;陈延峰 - 南京大学
  • 2021-08-13 - 2022-10-18 - C30B29/30
  • 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用,所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时,在291K(升温)和253K(降温)温度下,最大的磁介电响应为‑18%。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件,在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。
  • 一种改善铌酸锂薄膜晶圆稳定性的工艺方法-202210798473.5
  • 侯松岩 - 侯松岩
  • 2022-07-08 - 2022-09-30 - C30B29/30
  • 本发明提出一种的工艺制备过程,用来制作耐高温的单晶薄膜铌酸锂或钽酸锂晶圆。在进行离子注入之后,在晶片和硅衬底旋涂氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶,然后在进行晶圆键合,通过调整热退火的温度、时间以及气体,使晶片内部形成损伤层膨胀,进而将薄膜剥离,同时将氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶变性成为致密的二氧化硅薄膜,之后对单晶铌酸锂晶圆另一面进行抛光打磨,得到耐高温的铌酸锂薄膜。利用此工艺制备的铌酸锂或钽酸锂薄膜晶圆的耐高温性能将会大大提高,极大拓展了铌酸锂或者钽酸锂薄膜材料在微纳器件领域的应用。
  • 一种生长6英寸钽酸锂晶体的方法-202210714460.5
  • 徐秋峰;张忠伟;沈浩;钱煜;张伟明;曹焕;濮思麒 - 天通控股股份有限公司
  • 2022-06-23 - 2022-09-23 - C30B29/30
  • 本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种生长6英寸钽酸锂晶体的方法,包括以下步骤:a)将钽酸锂原料装入铂铱合金坩埚内,抽真空后,充氮气至正压;b)升温加热至1600~1645℃,使原料熔融;c)按下降籽晶,当籽晶下降至坩埚口0位时停止下降,将称重重量清零;d)根据籽晶重量变化调整引晶温度,及籽晶的下降或上升速率,完成引晶后,晶体进入自动生长;e)通过实时调整放肩生长和等径生长的提拉速度控制晶体结晶速率,完成晶体生长后上拉晶体,使其脱离熔融液。
  • 复合体-201980045107.9
  • 岩下修三 - 京瓷株式会社
  • 2019-07-11 - 2022-09-16 - C30B29/30
  • 本发明的复合体,含β-锂霞石的结晶相和钽酸锂的结晶相。在0~50℃的温度范围,每1℃计算出的热膨胀系数在0±1ppm/K以内。钽酸锂的结晶相中含有钙。β-锂霞石的结晶相与钽酸锂的结晶相的体积比为90:10~99.5:0.5。
  • 一种大尺寸高电阻率钽酸镓镧晶体的制备方法-202110390389.5
  • 沈丽明;王帅;暴宁钟;燕克兰 - 南京工业大学
  • 2021-04-12 - 2022-09-13 - C30B29/30
  • 本发明公开了一种大尺寸高电阻率钽酸镓镧晶体的制备方法,将La2O3、Ga2O3、Ta2O5、Al2O3粉体,按照通式La3Ta0.5Ga5.5‑xAlxO14中的摩尔比进行配料,其中,0≤x≤1.0;经过混料,压料和烧结制得到多晶原料;将钽酸镓镧籽晶与得到的多晶原料放入坩锅中密封,再将坩锅放入下降炉设备中,升温熔化籽晶顶部和原料,通过下降法生长钽酸镓镧晶体;最后将生长的钽酸镓镧晶体通过定向、切割、研磨、抛光得到晶片;将晶片放入气氛炉中进行退火处理,即得。本发明采用下降法生长钽酸镓镧晶体,有效避免了提拉法生长大量Ga2O3挥发带来的组分偏析,包裹体等问题。同时通过后期优化气氛,选用高温退火的方式对钽酸镓镧晶体进行后期退火处理,来调控晶体内部缺陷浓度,进一步提高了电阻率。
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