[发明专利]包含双偶极阻挡电介质层的三维平面存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201980006261.5 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111448661B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 西川昌利;榊原清彦 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种三维存储器装置包含：绝缘条带和导电条带的交替堆叠，其位于衬底上方并且通过线型沟槽彼此横向间隔开，所述线型沟槽沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向间隔开；以及存储器堆叠结构，其布置成沿着所述第一水平方向延伸的行。每一行存储器堆叠结构位于所述线型沟槽的相应侧壁上。所述存储器堆叠结构中的每一个包含竖直半导体通道、接触所述竖直半导体通道的隧穿电介质、接触所述隧穿电介质的电荷存储层，以及复合阻挡电介质。所述复合阻挡电介质包含第一含偶极的阻挡电介质层堆叠、均质阻挡电介质层以及第二含偶极的阻挡电介质层堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 双偶极 阻挡 电介质 三维 平面 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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