[发明专利]绝缘体上半导体(SOI)技术中的高压(HV)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在审
| 申请号： | 201980042695.0 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN112335055A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 梁晴晴;R·P·K·维杜拉;S·库玛拉萨米;G·P·埃姆图尔恩;S·格科特佩里 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种集成电路。该集成电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MOSFET位于集成电路的绝缘体层的第一表面上。该MOSFET包括源极区、漏极区和前栅极。MOSFET还包括延伸漏极区，其位于漏极区与靠近前栅极的阱之间。该集成电路还包括背栅极，其位于绝缘体层的第二表面上，该第二表面与第一表面相对。背栅极与延伸漏极区重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 soi 技术 中的 高压 hv 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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