[发明专利]具有隔离结构的射频晶体管放大器和其它多单元晶体管在审
申请号: | 201980056498.4 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN112771664A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | F·特朗;母千里;H·蒋;Z·莫克提 | 申请(专利权)人: | 克里公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/00;H01L29/06;H01L23/522 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 於菪珉 |
地址: | 美国北*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种多单元晶体管包括半导体结构,并联电连接的多个单位单元晶体管,每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸,其中,单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开,以及隔离结构,该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在半导体结构上方延伸。 | ||
搜索关键词: | 具有 隔离 结构 射频 晶体管 放大器 其它 单元 | ||
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- 一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:第一衬底,第一衬底具有第一面和第二面,第一衬底内具有若干第一连接层且第一面暴露出第一连接层,第一连接层在第一衬底表面的投影图形包括相互垂直且相互连接的第一长方形和第二长方形;与第一衬底键合的第二衬底,第二衬底具有第三面和第四面,第二衬底第三面和第一衬底第一面键合,第二衬底内具有若干第二连接层且第三面暴露出第二连接层,第二连接层在第二衬底表面的投影图形包括相互垂直且相互连接的第三长方形和第四长方形;若干第一连接层和若干第二连接层一一对应且部分重叠,对应的第一长方形与第三长方形垂直相交,且对应的第二长方形与第四长方形垂直相交。半导体结构性能得到提升。
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- 林广模;B·努里;母千里;M·玛贝尔;S·什帕德;A·克姆珀施 - 沃孚半导体公司
- 2021-06-24 - 2023-03-14 - H01L23/482
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- 专利分类