[发明专利]随机存取记忆体单元及电阻式随机存取记忆体单元的操作方法有效
| 申请号： | 202010090393.5 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111986720B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈朝阳;吴承润;蔡竣扬;黄国钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在部分实施方式中，本揭露涉及一种随机存取记忆体单元及电阻式随机存取记忆体单元的操作方法。操作电阻式随机存取记忆体(RRAM)单元的方法包含对RRAM单元进行重置操作。对RRAM单元施加第一电压偏压。第一电压偏压具有第一极性。第一电压偏压的施加诱使RRAM单元从低电阻变为中电阻。中电阻大于低电阻。然后，对RRAM单元施加第二电压偏压施。第二电压偏压具有与第一极性相反的第二极性。第二电压偏压的施加诱使RRAM单元具有高电阻。高电阻大于中电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取 记忆体 单元 电阻 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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