[发明专利]一种铝基材料及降低二次电子发射系数的表面处理方法有效

专利信息
申请号: 202010214903.5 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN111270249B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 胡文波;庞妍;李洁;易兴康;李永东;吴胜利;林舒 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C22/30 分类号: C23C22/30;C23C14/06;C23G1/22;C23G1/12
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 房鑫
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种铝基材料及降低二次电子发射系数的表面处理方法,铝基材料的表面为多孔结构,孔洞孔径为50‑500nm,孔洞深度为200nm‑5000nm,孔洞密度为8×106/mm2‑2×108/mm2。处理方法包括相继采用丙酮、乙醇和去离子水对铝基材料进行超声波清洗、先后采用碱性溶液和去离子水对铝基材料进行清洗、先后采用硝酸溶液和去离子水对铝基材料进行清洗、先后采用阿洛丁溶液和去离子水对铝基材料进行清洗,最后对铝基材料进行烘干,得到具有多孔结构表面的铝基材料。本发明能够显著降低铝基材料二次电子发射系数,并获得好的二次电子发射稳定性,实现防腐蚀处理与抑制微放电工艺同步完成。
搜索关键词: 一种 基材 料及 降低 二次电子 发射 系数 表面 处理 方法
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