[发明专利]半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法在审
| 申请号： | 202010716528.4 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420103A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 金泰镐 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法。半导体存储器件包括电阻变化存储器件，所述电阻变化存储器件包括控制电路块和与控制电路块电连接的多个存储层。半导体存储器件包括模式生成块、位置校正块和位置确定块。模式生成块接收行地址、列地址和存储层选择信号而生成多个模式生成信号，所述多个模式生成信号用于以各种模式选择存储层中的多个存储单元。位置校正块接收临时代码并且将存储层的位置反映在临时代码中以输出校正代码，所述临时代码用于将存储单元分类为临时近单元区域和临时远单元区域。位置确定块被配置为基于模式生成信号和校正代码而生成第一重置信号至第三重置信号以重置近单元区域、中间单元区域和远单元区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 存储系统 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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