[发明专利]一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置在审
| 申请号： | 202010978877.3 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112647135A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赵浩;李洪武;周丽;丁立军;王挺;许聚武;陈晟;习聪玲 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 涂琪顺 |
| 地址： | 314001 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室本体，所述反应室本体内设置有片架，所述反应室本体上固定安装有片架旋转机构，所述片架旋转机构的动力输出轴与片架固定连接，所述片架的轴线、片架旋转机构的动力输出轴的轴线与反应室本体的轴线相重合，所述反应室本体的内壁上固定安装有若干独立定位组件，若干所述独立定位组件可伸缩且可与片架相接触。本发明通过独立控制的定位组件和实时验证组件可实现对片架进行实时的自动定位，并可自动适应在一定范围内不同规格的片架，可大幅提升定位的准确性，确保了片架处于反应室本体的轴线位置，通用性强，可大幅提升片架中多个单晶硅刻蚀加工的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动 定位 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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- 周旺 - 昆山盛睿杰机电科技有限公司
- 2020-08-06 - 2020-11-06 - C30B33/12
- 本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，包括反应室，所述反应室顶部贯通固定设有进气管，所述进气管一端部贯通固定连接有气源室，所述反应室一侧底部贯通固定设有出气管，所述出气管一端部固定连接有真空泵，所述反应室底部固定设有驱动电机，通过设置驱动电机，驱动电机可以带动主动皮带轮旋转，主动皮带轮可以通过皮带带动从动皮带轮旋转，从动皮带轮可以通过轴杆带动凸形转盘旋转，进而可以带动片架旋转，可以增加单晶硅与等离子体的接触均度，伸缩定位杆可以对定位圆环进行支撑固定，通过旋转螺纹筒调节伸缩定位杆的长度即可，便于拆卸固定，适合不同直径的反应室使用，套筒通过固定螺栓固定在片架顶部外侧，方便拆卸安装。
- 含有固体碳的材料的加工体、其制造方法和其制造装置-201880052808.0
- 西林良树;辰巳夏生;滨木健成 - 住友电气工业株式会社
- 2018-08-13 - 2020-04-17 - C30B33/12
- 一种含有固体碳的材料的加工体的制造方法，所述方法包括：准备所述含有固体碳的材料的步骤，所述含有固体碳的材料由至少具有含有固体碳的表面的材料构成；形成气相流体的步骤，所述气相流体含有对所述固体碳具有活性的活性气体或活性等离子体中的至少一种；和通过将所述气相流体喷射到所述含有固体碳的材料的表面的至少一部分上来加工所述含有固体碳的材料的步骤。
- 一种硅纳米柱的制备方法-201810231651.X
- 张晓宏;揭建胜;肖鹏 - 苏州大学
- 2018-03-20 - 2019-10-08 - C30B33/12
- 本发明提供了一种硅纳米柱的制备方法，包括如下步骤：在氧化硅片的表面铺设具有预设图案的模板，所述预设图案选择成在按照所述预设图案进行刻蚀时允许刻蚀出柱状体；将所述氧化硅片放置于一刻蚀时所用的基片上，并使其与所述基片成预设夹角；利用反应气体沿着一预设方向向所述氧化硅片的内部进行刻蚀，以在所述氧化硅片内形成以预设倾斜角度倾斜的硅纳米柱。本发明的方法解决了在正上方的入射光照射到硅纳米柱上时，如何减小反射率的技术问题。
- 一种传感器单晶硅刻蚀装置-201822199473.5
- 郑志霞;陈越 - 莆田学院
- 2018-12-26 - 2019-08-06 - C30B33/12
- 本实用新型公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括传感器本体，所述传感器本体的顶部内侧焊接有适配器，适配器的下端焊接有绝压传感器，绝压传感器的下端焊接有过载膜片，传感器本体的下表面固定有刻蚀机构，传感器本体的另一侧和刻蚀机构的上表面固定有清洁机构；通过三相异步电机的转动带动转轴转动，通过转轴的转动带动中心轴的转动，通过中心轴外侧壁固定扇叶，通过中心轴的转动带动扇叶转动，通过扇叶对吸气孔进行吸气，将测量气体进行吸入传输，通过排气口将过滤网将吸气口中的杂质进行过滤，将过滤的气体传输到过程法兰中，从而达到过程法兰不能造成堵塞，解决了产生沉积物，形成测量死区的问题。
- 一种用于金刚线切割多晶硅片酸制绒的添加剂及应用-201910472041.3
- 李佳艳;蔡敏;谭毅;武晓玮 - 大连理工大学
- 2019-05-31 - 2019-07-30 - C30B33/12
- 本发明公开了一种用于金刚线切割多晶硅片酸制绒的添加剂及应用，所述添加剂的组分包括第一添加剂、第二添加剂、第三添加剂、第四添加剂中的一种或多种组合；第一添加剂为聚乙二醇溶液(质量分数为0.5～5％)、聚乙烯醇溶液(质量分数为0.5～5％)和十二烷基苯磺酸溶液(质量分数为0.5～5％)的混合溶液；第二添加剂为亚硝酸钠溶液(质量分数为5～10％)；第三添加剂为磷酸溶液(体积分数为5～10％)；第四添加剂为冰乙酸溶液(体积分数为5～10％)。本发明通过向酸性腐蚀液中添加添加剂，能够控制反应速率、降低多晶硅片与腐蚀液之间的张力、增加润湿性，使腐蚀液更均匀的附着于多晶硅片表面，通过腐蚀获得形貌优良的制绒绒面，绒面腐蚀坑大小在200～500nm之间。
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