[发明专利]一种基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构有效

专利信息
申请号: 202011200847.6 申请日: 2020-11-02
公开(公告)号: CN112397855B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 钟智勇;郑磊;金立川;张岱南;唐晓莉;文天龙;廖宇龙;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P1/19 分类号: H01P1/19;H01P1/18;H03K19/21
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构,属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导,连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导,和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层;相移自旋波波导独立传播两个自旋波,铁磁层的长宽比为(1~5):1,铁磁层的长度小于相移自旋波波导的长度,铁磁层与相移自旋波波导的间距为100~200nm,使得相移自旋波波导靠近铁磁层侧的自旋波与远离铁磁侧的自旋波产生大小为π的相位差,进而实现自旋波的异或逻辑门功能,无需电流、电压等外部手段调控。优选地相移自旋波波导包括自旋波以边缘模式传播的第一自旋波波导,可简化器件结构,利于器件的小型化。
搜索关键词: 一种 基于 磁偶极 作用 自旋 逻辑 结构
【主权项】:
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