[发明专利]基于MOSFET实现负压关断的驱动电路及控制方法有效
申请号: | 202011381495.9 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN112422115B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 金涛;肖晓森;张钟艺;李泽文 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 陈明鑫;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于MOSFET实现负压关断的驱动电路,包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、MOSFET管、稳压管、二极管和双向稳压管;本发明具有较好的动态性能,具有一定的保护能力且能够实现负压关断,减小关断时间和关断损耗且保证开关管的安全工作。 | ||
搜索关键词: | 基于 mosfet 实现 负压关断 驱动 电路 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011381495.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。