[发明专利]氮化物半导体结构体、氮化物半导体器件以及用于制作该器件的方法在审
| 申请号： | 202080070160.7 | 申请日： | 2020-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN114514616A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 泷泽俊幸 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L29/04;H01L29/78;H01L29/778;H01S5/30;C30B29/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李新红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实现了一种包括在单晶第III族氮化物半导体部上的单晶第II‑IV族氮化物半导体部的构造。氮化物半导体结构体(1)包括第III族氮化物半导体部(3)和第II‑IV族氮化物半导体部(4)。第III族氮化物半导体部(3)是单晶。第III族氮化物半导体部(3)具有预定晶面。第II‑IV族氮化物半导体部(4)设置在第III族氮化物半导体部(3)的预定晶面上。第II‑IV族氮化物半导体部(4)是单晶。第II‑IV族氮化物半导体部(4)含有第II族元素和第IV族元素。第II‑IV族氮化物半导体部(4)与第III族氮化物半导体部(3)形成异质结。预定晶面是除(0001)面以外的晶面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 半导体器件 以及 用于 制作 器件 方法 | ||
【主权项】：
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