[发明专利]基于热耦合结构的二维超导纳米线像元阵列结构及成像器有效

专利信息
申请号: 202110011055.2 申请日: 2021-01-07
公开(公告)号: CN112763061B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 赵清源;陈实 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42;G01J1/44
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李湘群
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于热耦合结构的二维超导纳米线像元阵列结构及成像器。该像元阵列结构包括双层超导纳米线成像器件,上层超导纳米线成像器件和下层超导纳米线成像器件为相互独立工作的两支单光子探测系统,由中间绝缘层隔开,通过单层超导纳米线成像器件响应光子后的热效应传递至另一层超导纳米线成像器件触发该另一层超导纳米线成像器件,实现双层超导纳米线响应输出信号。本发明能有效实现大阵列超导纳米线成像,是一种利用微纳传热物理模型的超导纳米线成像器,本发明拓展了超导纳米线成像器的象素规模,提升了像元占空比,提升了超导纳米线延迟线读出成像器的探测效率,实现了红外波段成像的亚波段像素空间分辨率。
搜索关键词: 基于 耦合 结构 二维 导纳 米线 阵列 成像
【主权项】:
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