[发明专利]MEMS三轴AMR磁力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110191336.0 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113003532B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器，Z轴AMR磁力传感器形成在沟槽的侧面上，Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘位于沟槽的顶部并延伸到沟槽外的第一介质层的表面，Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘位于沟槽的底部表面上；Z轴电极的第一侧宽度边缘位于沟槽的顶部并延伸到Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘外的第一介质层的表面，Z轴电极的第二侧宽度边缘位于沟槽的底部的Z轴AMR磁力传感器上且位于Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘的内侧。本发明还公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法。本发明能防止Z轴电极的刻蚀工艺在沟槽的底部形成微沟槽并同时能提高工艺窗口，能防止形成弱点区域并防止由于弱点区域而使器件失效，能提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | mems amr 磁力 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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