[发明专利]基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件有效
| 申请号： | 202110414348.5 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113224142B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;陆小力;郑雪峰;王志成;何云龙;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件，该异质结结构包括：自下而上依次层叠设置的Ga |
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| 搜索关键词： | 基于 束缚 电荷 增强 deg 氧化 镓异质结 结构 异质结 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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