[发明专利]全NMOS晶体管的开关式低附加相移的数字步进式衰减器有效
| 申请号： | 202110640786.3 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113437948B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 康凯;张双敏;赵晨曦;刘辉华;余益明;吴韵秋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于射频电路技术领域，具体提供一种全NMOS晶体管的开关式低附加相移的数字步进式衰减器，在传统数控步进式衰减器(DSA)结构基础上，针对桥T/T/π型衰减单元中串联支路上的电阻、利用压控NMOS晶体管的导通电阻代替，针对桥T/T/π型衰减单元中并联支路上的电阻与电容、利用压控NMOS晶体管的导通电阻与固有源漏寄生电容代替代替，进而实现全NMOS晶体管结构的桥T/T/π型衰减单元设计，有效避免了传统结构中电阻与电容引入的诸多问题，且大大的简化了电路结构、节省了芯片面积；同时，压控NMOS晶体管对工艺偏差容忍度较高，且能够通过尺寸(宽长比)及栅极电压实现高精度控制。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 开关 附加 相移 数字 步进 衰减器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110640786.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双路无线及有线通讯系统和方法
- 下一篇：一种移动式洁净取样室
