[发明专利]一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111146214.6 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115873176B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 方书农;王溯;耿志月;崔中越 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C08F234/02 | 分类号： | C08F234/02;C08F232/08;C08F222/40;C08F212/32;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/32;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;陈卓 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0# | ||
| 搜索关键词： | 一种 duv 光刻 底部 反射 涂层 及其 制备 方法 应用 | ||
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