[发明专利]一种稀土离子掺杂硅酸铋上转换发光材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111181609.X 申请日: 2021-10-11
公开(公告)号: CN113755170B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 王莎莎;崔晓慧;林继宏;聂虎臣;刘兆 申请(专利权)人: 江西乾照光电有限公司
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79;B82Y20/00;B82Y30/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王欢
地址: 330103 江西省南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种稀土离子掺杂硅酸铋上转换发光材料及其制备方法,上转换发光材料具有式Ⅰ通式:Bi1.99Er0.01YbXLiYSiO5;其中,0<X≤0.015,0Y≤0.08。本发明提供的材料将Er3+离子、Yb3+离子掺入硅酸铋晶体中,不会改变晶体结构;通过Yb3+离子的掺杂浓度实现对上转换发光强度的调控,且红绿光比值也同时被调控;Li+离子的掺入也不会引起晶格结构改变,只能使晶体颗粒尺寸发生变化;而这种掺杂还会导致局域晶体场的对称性降低,使之更适合稀土离子4f电子跃迁,进而使得发光强度得到增强。
搜索关键词: 一种 稀土 离子 掺杂 硅酸 转换 发光 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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