[发明专利]（010）面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用有效
| 申请号： | 202111548883.6 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114262938B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 修向前;李悦文;许万里;陶涛;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B31/08 | 分类号： | C30B31/08;C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层；(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延，得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法，采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN，进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN的批量制备。 | ||
| 搜索关键词： | 010 氧化 镓单晶 制备 极性 gan 衬底 中的 应用 | ||
【主权项】：
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