[实用新型]半导体器件结构有效
| 申请号： | 202123016978.1 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN216288390U | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘煦冉;程海英;周泽阳 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/26 | 分类号： | H01L23/26;H01L29/68 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括衬底、位于衬底上的晶体管及位于所述晶体管周向上的切割道，所述切割道与所述晶体管相邻的一侧设置有氢气吸收层，所述氢气吸收层包括钛金属层和位于钛金属层表面的能渗透氢的保护层。本实用新型提供的半导体器件结构，通过在切割道中设置氢气吸收层作为氢吸收剂，以吸收从封装材料中逸出的氢，利用氢气吸收层对氢的吸收能力是相同体积的硅基吸气剂的25倍，且所占体积小，工艺简单，可以方便地整合进芯片工艺流程，不需要进行高温组合固化工艺，也不需要长时间的烘烤等优点，可以有效提高诸如砷化镓、氮化镓等高频、高功率晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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