[实用新型]一种真空场致发射二极管有效
申请号: | 202123271937.7 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN216624192U | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 王论衡;王松阳;郭雪;耿聪;侯怿;黄庆云;黄庆生 | 申请(专利权)人: | 王论衡 |
主分类号: | H01J19/56 | 分类号: | H01J19/56;H01J19/42 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 王金凤 |
地址: | 150000 黑龙江省哈*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种真空场致发射二极管,涉及二极管技术领域,以解决现有技术中二极管无法在通过较大的电流的同时也具有高频开关性的问题,该真空场致发射二极管包括第一电极(2)、第二电极(3)和具有内腔的绝缘壳体(1),第一电极(2)和第二电极(3)间隙设置于绝缘壳体(1)内,并在第一电极(2)与第二电极(3)之间形成真空腔(4),第一电极(2)朝向第二电极(3)的一侧设置有凹面(21),第二电极(3)上设置有尖锥(31),尖锥(31)朝向凹面(21)的中心设置。本实用新型的真空场致发射二极管应用于高压大电流的电路上的整流及逆变,有实现容易、开关频率高、效率高等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 空场 发射 二极管 | ||
【主权项】:
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