[发明专利]具有竖直晶体管的只读存储器在审
| 申请号： | 202180068242.2 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN116438936A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 山下典洪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H10B20/00 | 分类号： | H10B20/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈金林 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种只读存储器(ROM)设备。该ROM设备包括具有多个竖直传输场效应晶体管(VFET)的衬底。该ROM设备还包括设置在每个VFET上的未激活半导体层。未激活的半导体层包括基本上未被激活的注入掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 竖直 晶体管 只读存储器 | ||
【主权项】：
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