[发明专利]陶瓷烧结体及半导体装置用基板在审
| 申请号： | 202180094868.0 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN116917255A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 绪方孝友 | 申请（专利权）人： | NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王强;龚敏 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明所涉及的陶瓷烧结体包括：氧化铝；及玻璃成分，含有二氧化硅和锰，所述陶瓷烧结体在表面侧具有结合层，该结合层具有Mn的浓度的峰值，所述结合层的深度方向上的Mn的峰值相对于Si的峰值的比例为1.0～7.0。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 烧结 半导体 装置 用基板 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社，未经NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180094868.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：石墨片及其制造方法
- 下一篇：为工件提供三维纹理化表面涂层的方法
