[发明专利]硅芯片上的光相干发射器在审
| 申请号： | 202210049519.3 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114978327A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | A·埃夫特哈尔;D·黄;M·N·萨基布;荣海生;刘安胜;P·廖;H·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H04B10/50 | 分类号： | H04B10/50;H04B10/516;H04L27/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉;李炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所描述的实施例可涉及与硅芯片上完全集成的光相干调制器有关的设备、工艺和技术。这些相干调制器可用于使发射器、接收器、收发器、可调谐激光器和其他光学或电光设备能够集成在硅芯片上。在实施例中，光相干调制器可基于可嵌套在马赫‑泽恩德干涉仪(MZI)配置中的差分微环调制器。实施例还可以涉及小型化且完全集成的相干调制器，该相干调制器可以基于硅芯片上的相干调制以小形状因子实现太比特每秒(Tbps)的收发器。可描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 相干 发射器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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