[发明专利]低噪声跨阻放大器在审
| 申请号： | 202210352453.5 | 申请日： | 2022-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN116938170A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 博通集成电路（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/26;H03F1/30 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;成春荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种跨阻放大器(TIA)可以包括输入级和输出驱动级。输入级可以包括一对输入PMOS晶体管、一对输入NMOS晶体管和一对差分电压输入节点。输出驱动级可以包括一对输出电路，每个输出电路可以包括并联电连接的第一对PMOS和NMOS晶体管、串联电连接的第二对PMOS和NMOS晶体管、串联电连接的一对电容器、差分输出节点、第三PMOS晶体管、交叉耦合在输出驱动级的所述一对输出电路之间的第四对NMOS晶体管。该结构可以获取降低的TIA的噪声水平和降低的峰值瞬态电流水平。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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