[发明专利]氮化物半导体外延结构在审
| 申请号： | 202210419930.5 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114823853A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 | 申请（专利权）人： | 南京百识电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/15;H01L29/20;H01L29/201 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 赵淑芳 |
| 地址： | 211806 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，包括衬底，所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，过渡层为Al |
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| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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