[发明专利]一种基于气动磁镜中子源驱动的次临界同位素生产系统

摘要

本发明公开了一种基于气动磁镜中子源驱动的次临界同位素生产系统，包括：气动磁镜中子源(S1)，用于通过发生氘氘反应产生聚变中子；次临界包层(S2)，设置在所述气动磁镜中子源(S1)内，含有低浓缩235U盐溶液，用于通过中子与235U发生裂变反应产生放射性同位素；分离提纯单元(S3)，与所述次临界包层(S2)连接，用于对产生的放射性同位素进行分离提纯。本发明利用氘氘聚变型反应的高源强气动磁镜中子源，由于氘相对于氚的获取更容易、存储更安全、成本更低等特点，本发明具有造价低、中子通量高和同位素生产效率高等优点。