[发明专利]侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202211240158.7 | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN115313144B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 谭少阳;刘武灵;张立晨;王俊;郭路安;张宇荧;廖新胜;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法，侧向光模式调控高功率半导体器件包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的热补偿层，热补偿层中具有主开口和沿着慢轴方向分别位于所述主开口两侧副开口组，副开口组与主开口贯通，副开口组包括沿着出光方向排布的若干个副开口；沿着慢轴远离主开口的方向上，副开口的宽度递减，所述副开口的宽度平行于出光方向；正面电极层，正面电极层包括电极注入区，电极注入区位于热补偿层背离半导体衬底层一侧表面、以及主开口和所述副开口组中；热补偿层的导热率小于所述正面电极层的导热率。半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。 | ||
| 搜索关键词： | 侧向 模式 调控 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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