[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在所述透光基板上的多层遮光膜。多层遮光膜包括过渡金属、氧以及氮中的至少一种。多层遮光膜包括第一遮光膜和配置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜。多层遮光膜包括通过以所述多层遮光膜的上表面为基准横向三等分且纵向三等分来形成的总共九个多层遮光膜部分。多层遮光膜的分别在总共九个多层遮光膜区域测定的粗糙度差值的平均值为3nm以下。在这种情况下，当实施增强清洗时，多层遮光膜能够在整个区域对清洗溶液具有优异的耐久性。