[发明专利]半导体存储器件和包括其的电子系统在审
| 申请号： | 202211374621.7 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN116113241A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 吴民在;金益秀;罗相虎;任智芸 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/41;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体存储器件和包括其的电子系统。该半导体存储器件包括：单元基板；模制结构，包括堆叠在单元基板上的多个栅电极，栅电极包括依次堆叠的第一接地选择线、第二接地选择线和多条字线；沟道结构，在垂直方向上延伸，穿过单元基板的上表面并穿透模制结构；局部隔离区，在与单元基板的上表面平行的第一方向上延伸并部分地分隔模制结构；以及接地隔离结构，连接在第一方向上彼此相邻的两个局部隔离区，在垂直方向上延伸并穿透第一接地选择线和第二接地选择线，其中接地隔离结构的宽度随着距单元基板的距离的增大而增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 包括 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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