[发明专利]热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法在审
| 申请号： | 202211502046.4 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN115842060A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李园;杨一彤;陆小力;何云龙;马晓华;赵元富;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法，包括：β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 热电 优化 设计 沟槽 mos 氧化 功率 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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