[实用新型]一种倒装深紫外发光二极管芯片有效
| 申请号： | 202221763494.5 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN219267676U | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张向鹏;李勇强;郭凯;张晓娜;王雪;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 047500 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种倒装深紫外发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括深紫外LED外延片及n电极(202)和p电极(203)，深紫外LED外延片包括n‑AlGaN层(103)和p‑AlGaN层(106)且n电极(202)设置在n‑AlGaN层(103)上，p电极(203)设置在p‑AlGaN层(106)上，倒装深紫外发光二极管芯片的蚀刻台面侧壁的倾角为10°‑40°，n电极(202)和p电极(203)上都设有一个加厚电极(204)且p电极(203)上方的加厚电极覆盖倒装深紫外发光二极管芯片中的整个p‑AlGaN层(106)的上方和刻蚀台面侧壁的上方。其能在不增加光刻次数和不增加芯片成本的前提下，提高芯片亮度5‑20％，提高芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 深紫 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司，未经山西中科潞安紫外光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202221763494.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种妇产临床给药装置
- 下一篇：一种宠物饮水器
