[实用新型]一种匹配式单刀双掷开关芯片有效
| 申请号： | 202222749538.5 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN217849404U | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李佳瑶;罗力伟;杨柯 | 申请（专利权）人： | 四川益丰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693 |
| 代理公司： | 四川恒靠谱知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51335 | 代理人： | 潘华 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种匹配式单刀双掷开关芯片，包括两条结构相同且对称设置的电路，两条所述电路的输入端与射频端口RFIN连接，两条所述电路的输出端分别连接射频端口RFOUT1和射频端口RFOUT2；本实用新型公开一种匹配式单刀双掷开关芯片，采用GaAs FET开关，相比PIN开关具有偏置网络简单、控制电流小、驱动电路简化、开关速度快等优势，且性能比较高，使用非常方便；本实用新型中，频率范围覆盖DC‑12GHz，该芯片为裸片封装，输入/输出端口匹配阻抗为50Ω。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 匹配 单刀 开关 芯片 | ||
【主权项】：
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- 耐高压的EFUSE烧写单元、电路及烧写读取方法-202210739720.4
- 张侨;陆建华 - 南京燧锐科技有限公司
- 2022-06-28 - 2022-10-04 - H03K17/693
- 本申请公开了一种耐高压的EFUSE烧写单元、电路及烧写读取方法，属于集成电路设计技术领域。EFUSE烧写单元中第一EFUSE的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的源极相连；第一NMOS管的栅极与偏置电压端相连，第一NMOS管的源极与第一开关的漏极相连，第一开关的栅极与第一控制端相连，第一开关的源极接地；第二NMOS管的栅极与偏置电压端相连，第二NMOS管的漏极与第二开关的源极相连，第二开关的栅极与第二控制端相连；EFUSE烧写单元的最大烧写电压是NMOS管的可靠工作电压的两倍。本申请避免高烧写电压对烧写链路上所有NMOS管造成的损坏，使EFUSE烧写单元具有耐高烧写电压的功能。
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