[发明专利]用于三维小芯片形成的局部应力区域在审
| 申请号： | 202280016684.7 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN116888736A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 安东·德维利耶;丹尼尔·富尔福德;安东尼·舍皮斯;马克·加德纳;H·吉姆·富尔福德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;东京毅力科创美国控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本披露的各方面提供了一种用于将小芯片形成到半导体结构上的方法。该方法可以包括：提供第一半导体结构，该第一半导体结构具有形成在其第一侧上的第一电路和第一布线结构；以及将第一侧附接至载体衬底。该方法可以进一步包括：在第一半导体结构的第二侧上形成第一应力膜和第二应力膜的复合物；以及将载体衬底与第一半导体结构分离。该方法可以进一步包括：切割第一应力膜和第二应力膜的复合物以及第一半导体结构以限定至少一个小芯片；以及将该至少一个小芯片结合到具有第二电路和第二布线结构的第二半导体结构，使得第二布线结构连接至第一布线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 芯片 形成 局部 应力 区域 | ||
【主权项】：
暂无信息
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