[发明专利]一种用于高真空等离子体环境的磁体位置调节机构在审
| 申请号： | 202310131207.1 | 申请日： | 2023-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN115988725A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 鄂鹏;凌文斌;张湧颀;金成刚;陈春喜;卢耀文;李立毅 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H05H1/10 | 分类号： | H05H1/10;H01F7/06;H01F27/30 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 王新雨 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种用于高真空等离子体环境的磁体位置调节机构，属于机械传动技术领域。所述结构包括线圈本体、传动机构和固定支撑机构；所述线圈本体、传动机构和固定支撑机构分为上下两部分，线圈本体被约束固定在真空内部，其垂直方向的运动由传动机构控制，固定支撑机构安装在罐体上，起到固定支撑传动机构和使线圈有且仅有垂直方向的运动自由度的作用；线圈本体的垂直运动通过上下各一套传动机构控制线圈运动，顶部传动机构通过固定架安装于罐体上，底部传动机构同样通过固定架安装在罐体上，固定架固定在地基上的地脚螺栓上；上下线圈各依靠驱动单元同步实现运动。本发明的位置调节机构结构紧凑，系统集成度高，运行稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 真空 等离子体 环境 磁体 位置 调节 机构 | ||
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- 2013-07-30 - 2013-12-25 - H05H1/10
- 一种用具有零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的装置，包括高压脉冲电源；等离子体枪，设于所述高压脉冲电源之后，所述等离子体枪用于通入中性气体，在所述高压脉冲电源的作用下，使中性气体受到激发电离，从而产生等离子体束，由所述等离子体枪出口喷出；全等离子体通道，设于所述等离子体枪之后，用于对所述等离子体束进行运输；磁阱线圈，设于所述全等离子体通道之后，用于产生中心区域为具有零磁场区的弱磁场区，四周环形区域为障壁磁场的环形磁场位形。本实用新型能有效地抑制等离子体的互换不稳定性，显著增大等离子体的压磁比，可望大大减小受控核聚变反应堆的体积，提高聚变反应堆的经济可行性。
- 一种控制会切磁场推力器羽流发散角度的方法-201310253490.1
- 赵隐剑;张亚男;刘辉;马成毓;陈蓬勃;孙国顺;于达仁 - 哈尔滨工业大学
- 2013-06-24 - 2013-09-25 - H05H1/10
- 一种控制会切磁场推力器羽流发散角度的方法，涉及一种会切磁场推力器磁分界面位形对羽流发散角度的控制方法，本发明解决了现有会切磁场推力器羽流发散角度控制困难的问题，本发明将一块环形羽流控制永磁体固定安装在会切磁场推力器通道出口最外面一块永磁体的外侧，推力器的阴极发出电子，向会切磁场推力器的放电通道内通入氙气，氙离子在氙离子与电子自洽产生的电场的作用下向放电通道外喷出去，产生向内的推力；更换轴向长度或径向长度不同的环形羽流控制永磁体，使通道出口的磁分界面位形的外凸程度减小，实现对氙离子加速方向的控制，即完成会切磁场推力器羽流发散角控制。本发明适用于会切磁场推力器羽流发散角度的控制。
- 用具零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的系统和方法-201310155717.9
- 佟为明;金显吉;李中伟;赵志衡;黄桂香;林景波;刘勇 - 哈尔滨工业大学
- 2013-04-28 - 2013-08-28 - H05H1/10
- 本发明公开一种用具零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的系统及方法，该系统包括：等离子体枪，内部充有中性气体，用以产生及发射等离子体束；高压脉冲电源，用以向所述等离子体枪供电；全等离子体通道，与所述等离子体枪的出口相对，用以运输从所述等离子体枪中发射出的等离子体束，并将所述等离子体束注入磁阱线圈；磁阱线圈，与所述全等离子体通道的出口相对设置，用以产生环形磁场位形。其中，所述环形磁场位形的四周环形区域为障壁磁场，中心区域则为具有零磁场区的弱磁场区。所述全等离子体通道中还设有溜槽线圈，所述溜槽线圈产生的磁场方向与障壁磁场的方向相反，从而使得等离子体可轻易进入弱磁场区，然后被稳定约束在弱磁场区域。
- TOKMAK低混杂波天线辐射端面几何形状优化方法-201310095510.7
- 刘亮;刘甫坤 - 中国科学院等离子体物理研究所
- 2013-03-22 - 2013-07-10 - H05H1/10
- 本发明公开了一种TOKMAK低混杂波天线辐射端面几何形状优化方法，通过实验运行记录，获得物理实验期间低混杂波天线沿TOKMAK装置半径方向的位移范围，确定天线辐射端面中心到装置中心的平衡距离r0，代入计算公式，得到考虑装置大环曲率半径和纵场波纹度影响的天线辐射端面环向切口几何形状，对于天线辐射端面极向切口几何形状，参照以往方法，设计完成新的低混杂波天线辐射端面几何形状。本发明能够在保证并改善波与等离子体耦合的前提下，减轻和避免高温等离子体对天线的烧蚀，更好的发挥低混杂波对TOKMAK物理实验的积极作用，同时也在很大程度上节约了因为修复、更换受损天线而耗费的大量科研资源。
- 多峰场负氢离子源过滤磁场调节及束流矫正装置-201220625775.4
- 贾先禄;张天爵 - 中国原子能科学研究院
- 2012-11-23 - 2013-06-12 - H05H1/10
- 本实用新型涉及一种负氢离子源的磁场组件。为解决现有多峰场负氢离子源负氢离子产额低，负氢离子束流方向偏移，同时引出过多的电子等问题，提供了一种多峰场负氢离子源过滤磁场调节及束流矫正装置，具体技术方案为：在多峰场负氢离子源引出电极中增加两对永磁体；第一永磁体与第二永磁体之间形成的磁场与过滤磁场方向相同；第三永磁体与第四永磁体之间形成的磁场与过滤磁场方向相反；四块永磁体以多峰场负氢离子源放电腔中心为轴，对称分布在同一椭圆上，形成两个相反方向的磁场。所述多峰场负氢离子源过滤磁场调节及束流矫正装置增加了负氢离子的产额，有效地矫正了负氢离子束流方向，同时还偏转掉了被引出的过多的电子。
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