[发明专利]存储控制芯片、固态硬盘和闪存读电压确定方法在审

专利信息
申请号: 202310270581.X 申请日: 2023-03-17
公开(公告)号: CN116564391A 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 张睦;张杨;王大勇;李威 申请(专利权)人: 平头哥(上海)半导体技术有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/34;G06F3/06
代理公司: 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 代理人: 李杰;闫喜鹏
地址: 201208 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请实施例提供了一种存储控制芯片、固态硬盘和闪存读电压确定方法,该存储控制芯片包括:读取单元,用于通过n个读电压对位于闪存芯片中同一存储页包括的各存储单元进行读取,获得所述存储单元在所述n个读电压下的读取值,其中,n为大于或等于3的正整数;求和单元,用于将为第一数值的读取值转换为十进制数1,并将为第二数值的读取值转换为十进制数0,对所述存储单元在各所述读电压下的读取值对应的十进制数求和,获得该存储单元对应的求和值;定位单元,用于根据所述n个读电压和所述存储单元对应的求和值,确定用于对各所述存储单元进行读取的目标读电压。本方案能够降低确定闪存读电压过程对存储空间的占用。
搜索关键词: 存储 控制 芯片 固态 硬盘 闪存 电压 确定 方法
【主权项】:
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