[发明专利]一种高性能倒装红外LED外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 202310314777.4 | 申请日： | 2023-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN116207195A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 叶培飞;王玉;丁杰;周珊;张银桥;马鹏程 | 申请（专利权）人： | 厦门银科启瑞半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 黄巧香 |
| 地址： | 361024 福建省厦门市厦门火炬高*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种高性能倒装红外LED外延结构及其生长方法，采用金属有机化学气相外延沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上自下而上依次生长包括Ga0.5InP腐蚀截止层、n型GaAs欧姆接触层、n型Al0.1GaAs电流拓展层、n型Al0.2GaAs限制层、n型GaAs波导层、InxGa1‑xAs外延缺陷阻挡层、n型GaAs波导层、有源区、P型GaAs波导层、P型Al0.2GaAs限制层以及P型GaP欧姆接触层，其中有源区采用一种新型的V型量子阱结构。本发明在n型GaAs波导层中插入一层InxGa1‑xAs外延缺陷阻挡层，该层可以过滤生长过程中外延层积聚的各种缺陷。本发明从量子阱生长前外延材料表面预处理、量子阱的生长方式以及生长条件，抑制了大应力外延材料生长时从2D生长模式向3D生长模式的转变，从而可以获得高质量外延材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 倒装 红外 led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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