[发明专利]一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法在审
| 申请号： | 202310381472.5 | 申请日： | 2023-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116432567A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 梁华国;汪月;鲁迎春;肖远;章宏;易茂祥;黄正峰 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30;G06F30/20;G06F119/08;G06F115/12 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 陆丽莉;何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法，是用于表征纳米器件的自热效应，其步骤包括：1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真，输出I‑V特性曲线，并计算不同温度T下I‑V特性曲线所对应的FinFET器件参数g |
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| 搜索关键词： | 一种 finfet 纳米 器件 热效应 计算方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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