[发明专利]存储器在审
申请号: | 202310389782.1 | 申请日: | 2023-04-11 |
公开(公告)号: | CN116546818A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H10B41/30 | 分类号: | H10B41/30;G11C16/10;G11C16/34;G11C16/14 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种存储器,包括差分存储单元,由第一和第二存储子单元组成。第一和第二存储子单元都采用分离栅浮栅器件。分离栅浮栅器件包括:源区和漏区,位于源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构,位于第一栅极结构之间的第二栅极结构;浮栅顶部的控制栅。第一和第二存储子单元的漏区分别连接到第一和第二位线,源区都连接源线;编程状态下,第一和第二存储子单元的存储信息状态相反从而呈差分结构并由互为差分的第一和第二存储子单元的存储信息组成差分存储单元的存储信息;通过对第一和第二存储子单元中的一个进行编程实现对差分存储单元的编程,实现一个在编程状态,一个在擦除状态,在读取操作时互为参考。本发明能提高器件的耐擦写能力。 | ||
搜索关键词: | 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310389782.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。