[发明专利]定位制备InAs纳米线阵列的装置及制备方法

摘要

本发明涉及一种定位制备InAs纳米线阵列的装置及制备方法，将可控的二维移动装置与限域直流放电相结合，通过控制装置移速、前驱体流速以及气速，能够实现在基板上沉积不同排列间隙及尺寸的贵金属纳米催化剂阵列；实现对InAs纳米线间距的精细控制。本发明相较于常规的溶液制备催化剂方法，步骤更为精简，将催化剂直接通过电流打印在基底上，加快了反应速度，避免使用化学还原剂；本发明还能够通过控制参数来控制催化剂颗粒大小，进而控制反应速率、纳米线成品粗细；本发明制备的催化剂颗粒带有电荷，在静电排斥作用下阻止催化物聚集，保障催化物的均一性，进而保证纳米线成品的纯度和陈列形状。