[发明专利]一种基于原位生长法的高纯度人造岩石及其制备方法在审
申请号: | 202310474046.6 | 申请日: | 2023-04-27 |
公开(公告)号: | CN116444247A | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 李虹波;高霞;张祺;范树迁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | C04B30/00 | 分类号: | C04B30/00 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种基于原位生长法的高纯度人造岩石及其制备方法,属于人造岩石制备技术领域。该高纯度人造岩石由粒径为5~80μm的岩石颗粒(其中岩石颗粒选自石英石、绿泥石、钠长石或伊利石)与粒径为5~40μm的氧化物(其中氧化物为氧化钙、氧化镁或氧化铝)经气相渗透和致密化处理制备而成。气相渗透法可以控制人造岩石中无机盐的组成及结构,能够实现在岩石颗粒之间原位生长与天然岩石化学组成相同的无机盐,由于制备过程中没有引入非天然岩类元素,保证了最终制备的岩石具有很高的纯度。该方法是模拟地球深部岩石的一大创新方法,对研究、探索和利用地球深部岩石资源具有重大意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 原位 生长 纯度 人造 岩石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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