[发明专利]一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法

摘要

本发明公开了一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法，通过精确调控前驱体的传质过程，最终获得了厚度≤10nm，横向尺寸≥500μm的单晶铋基钙钛矿材料，解决了现有方法制得的二维铋基钙钛矿材料单晶尺寸较小且厚度不可控的问题。所述方法包括以下步骤：将两种前驱体物质分别放置于双温区管式炉的两个温区，采用云母基体作为衬底，向管式炉内通入氩气和氢气，分别将管式炉的两个温区升温至预定温度，反应，即可得到大尺寸二维铋基钙钛矿材料。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便、可重复性好，通过改变管式炉两个温区的温度和载气流量，即可控制二维铋基钙钛矿材料的厚度和形貌结构。