[发明专利]应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法在审
申请号: | 202310531144.9 | 申请日: | 2023-05-11 |
公开(公告)号: | CN116623161A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 苏宇;李伟阳;张建 | 申请(专利权)人: | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/505;H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 赵景焕 |
地址: | 315137 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法,属于半导体设备技术领域,温度控制组件包括自上而下依次相贴合地层叠设置的冷却板、第一石墨片、电加热板、第二石墨片、绝缘导热板、射频线圈和导热棉;导热棉的下表面与陶瓷圆顶的顶部相贴合;冷却板内部设置有冷却水管道。本方案实现了快速、均匀的温度控制,保证了半导体设备陶瓷圆顶温度控制高效、稳定,从而有效提升半导体表面沉积等工艺的效率和质量,并且体积较小,节省空间,便于使用。 | ||
搜索关键词: | 应用于 半导体设备 陶瓷 圆顶 顶部 温度 控制 组件 方法 | ||
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- 本申请提供一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置。该工艺腔室包括基座、钟罩、至少两个测距传感器以及控制装置;基座位于钟罩内;基座的上表面为圆形;至少两个测距传感器设于基座上方,且位于钟罩外;至少两个测距传感器处于同一水平面,至少两个测距传感器在基座上的投影位置围绕基座的圆心分布,且到基座的圆心距离相同;至少两个测距传感器用于在基座旋转至少一圈的过程中,测量其到基座在竖直方向的多个距离,将多个距离发送到控制装置;控制装置用于根据多个距离,判断基座是否处于水平。本申请能够实现在钟罩安装完毕后对基座的水平状态进行监测,并提高对基座水平状态监测的精确度。
- 使用下游压力感测的升华控制-202180078055.2
- 马文·克莱顿·布里斯;达温德·沙玛;班亚·翁森纳库姆 - 朗姆研究公司
- 2021-11-17 - 2023-07-21 - C23C16/52
- 一种控制气体流动的系统包括用于储存固体前体的安瓿。加热器用于加热所述安瓿,以及将所述固体前体升华为气态前体。质量流量控制器用于调节所述气态前体从所述安瓿到衬底处理室的流动。压力传感器用于测量输入至所述质量流量控制器的所述气态前体的压力。控制器用于使用基于所述压力和压力设定点的闭环控制以向所述电加热器供给功率。
- 一种等离子体增强的多源二维材料制备设备及其工作方法-201811613048.4
- 孔令杰;李晓丽 - 安徽贝意克设备技术有限公司
- 2018-12-27 - 2023-07-18 - C23C16/52
- 本发明公开了一种PE增强的多源二维材料制备设备及其工作方法,该制备设备包括控制区与反应区,反应区设置在控制区的上部,控制区包括控制台、射频发生器、真空获取泵、工控电脑,射频发生器与真空获取泵设置在控制台的一侧,工控电脑设置在控制台的中间区域,控制台的另一侧设有真空计;反应区包括:反应台、PE耦合源、加热反应器、固态源放置区、石英腔体,反应台固定设于控制台的顶部。本发明通过反向低温升华气体作为载体使固态源到基体上二次反应,从而很好的控制生长工艺,通过PE增强解决气源裂解温度在400度以内,通过另一面独立设计一个区域放置固态源并控制其升华温度不受反应区的影响。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的