[发明专利]一种深紫外发光二极管在审
申请号: | 202310538201.6 | 申请日: | 2023-05-12 |
公开(公告)号: | CN116544326A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 张骏;陈圣昌;张毅;岳金顺 | 申请(专利权)人: | 湖北优炜芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 万青青 |
地址: | 436000 湖北省鄂州市葛店开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种深紫外发光二极管,包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、载流子分布改善层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层,其中,载流子分布改善层的材质为硅掺杂的AlGaN材料,载流子分布改善层中的硅掺杂浓度大于量子阱有源层中势垒层的硅掺杂浓度;本发明的载流子分布改善层用向量子阱有源层提供载流电子,从而可以在势垒层中采用较少硅掺杂浓度的AlGaN材料,进而可以避免势垒层中的杂质硅扩散至势阱层中,进一步避免因形成晶格缺陷而引发非辐射复合,更进一步地有效提高了深紫外发光二极管的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】:
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