[发明专利]降低氮元素杂质含量的碳化硅合成方法在审
| 申请号： | 202310670050.X | 申请日： | 2023-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN116789137A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 徐永宽;刘楚;陈建丽;马文成;齐小方;胡章贵 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人： | 张宏 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种降低氮元素杂质含量的碳化硅合成方法，将Ti金属单质装入带盖石墨坩埚中，然后将带盖石墨坩埚放入碳化硅粉料合成坩埚中；Si和C粉混合均匀后放入碳化硅粉料合成坩埚中并将碳化硅粉料合成坩埚密封；将粉料合成坩埚放入石墨加热器中，将石墨加热器密封并抽至本底真空，充入氩气，保持炉内压力，然后按照预设温控程序进行升温及保温完成碳化硅粉料的合成。本发明利用Ti金属在高温下具有物理吸附和化学吸附氮杂质的效果，生成Ti |
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| 搜索关键词： | 降低 元素 杂质 含量 碳化硅 合成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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